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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    JAN1N6124
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TVS DIODE 42.6V 80.85V AXIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - रिवर्स गतिरोध (TYP)
    42.6V
  • वोल्टेज - क्लैम्पिंग (अधिकतम) @ आईपीपी
    80.85V
  • वोल्ट - ब्रेकडाउन (मिन)
    50.54V
  • प्रकार
    Zener
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Axial
  • शृंखला
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • पावर लाइन सुरक्षा
    No
  • बिजली - पीक पल्स
    500W
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    B, Axial
  • दुसरे नाम
    1086-19490
    1086-19490-MIL
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • वर्तमान - पीक पल्स (10 / 1000μs)
    6.18A
  • समाई @ आवृत्ति
    -
  • द्विदिश चैनल
    1
  • अनुप्रयोगों
    General Purpose
JAN1N6122US

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विवरण: TVS DIODE 35.8V 67.83V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6121US

JAN1N6121US

विवरण: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6122

JAN1N6122

विवरण: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6125A

JAN1N6125A

विवरण: TVS DIODE 47.1VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6122A

JAN1N6122A

विवरण: TVS DIODE 35.8V 64.6V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6122AUS

JAN1N6122AUS

विवरण: TVS DIODE 35.8V 64.6V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6123US

JAN1N6123US

विवरण: TVS DIODE 38.8V 73.61V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6124A

JAN1N6124A

विवरण: TVS DIODE 42.6V 77V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6126A

JAN1N6126A

विवरण: TVS DIODE 51.7VWM BPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

विवरण: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6126AUS

JAN1N6126AUS

विवरण: TVS DIODE 51.7V 97.1V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6125US

JAN1N6125US

विवरण: TVS DIODE 47.1V 89.57V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6124AUS

JAN1N6124AUS

विवरण: TVS DIODE 42.6V 77V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6126

JAN1N6126

विवरण: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6123

JAN1N6123

विवरण: TVS DIODE 38.8V 73.61V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6124US

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विवरण: TVS DIODE 42.6V 80.85V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6125

JAN1N6125

विवरण: TVS DIODE 47.1V 89.57V AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
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विवरण: TVS DIODE 38.8V 70.1V B SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
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विवरण: TVS DIODE 38.8V 70.1V AXIAL

निर्माता: Microsemi
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विवरण: TVS DIODE 47.1V 85.3V B SQ-MELF

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