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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    JAN1N6171
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - रिवर्स गतिरोध (TYP)
    121.6V
  • वोल्टेज - क्लैम्पिंग (अधिकतम) @ आईपीपी
    229.32V
  • वोल्ट - ब्रेकडाउन (मिन)
    144.4V
  • प्रकार
    Zener
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    C, Axial
  • शृंखला
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • पावर लाइन सुरक्षा
    No
  • बिजली - पीक पल्स
    1500W (1.5kW)
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Axial
  • दुसरे नाम
    1086-19790
    1086-19790-MIL
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    18 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • वर्तमान - पीक पल्स (10 / 1000μs)
    6.56A
  • समाई @ आवृत्ति
    -
  • द्विदिश चैनल
    1
  • अनुप्रयोगों
    General Purpose
JAN1N6169US

JAN1N6169US

विवरण: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6171A

JAN1N6171A

विवरण: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6169A

JAN1N6169A

विवरण: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6172US

JAN1N6172US

विवरण: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6173AUS

JAN1N6173AUS

विवरण: TVS DIODE 152V 273V C SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6170A

JAN1N6170A

विवरण: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

विवरण: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6169

JAN1N6169

विवरण: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

विवरण: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6173A

JAN1N6173A

विवरण: TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG AXL

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6170

JAN1N6170

विवरण: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6168US

JAN1N6168US

विवरण: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6170US

JAN1N6170US

विवरण: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6172

JAN1N6172

विवरण: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

विवरण: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

निर्माता: Microsemi Corporation
स्टॉक में
JAN1N6172AUS

JAN1N6172AUS

विवरण: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

विवरण: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6173

JAN1N6173

विवरण: TVS DIODE 152V 286.65V C AXIAL

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6171US

JAN1N6171US

विवरण: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
JAN1N6172A

JAN1N6172A

विवरण: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

निर्माता: Microsemi
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