PSMN8R5-100XSQ

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PSMN8R5-100XSQ
निर्माता / ब्रांड

Freescale / NXP Semiconductors
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

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डाटा शीट

PSMN8R5-100XSQ.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220F
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8.5 mOhm @ 10A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

55W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
दुसरे नाम

568-10162-5
934067377127
PSMN8R5100XSQ
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free by exemption / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5512pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

100nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 49A (Tj) 55W (Tc) Through Hole TO-220F
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

49A (Tj)

निम्नलिखित "PSMN8R5-100XSQ" संबंधित उत्पाद हैं।

PSMN8R0-30YLC,115

विवरण: MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK

निर्माता: NXP Semiconductors / Freescale

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अग्रिम पंजीकरण

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