PSMN8R5-108ESQ

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PSMN8R5-108ESQ
निर्माता / ब्रांड

Freescale / NXP Semiconductors
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

I2PAK
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8.5 mOhm @ 25A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

263W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
दुसरे नाम

568-11432-5
934068134127
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5512pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

111nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

108V
विस्तृत विवरण

N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tj)

निम्नलिखित "PSMN8R5-108ESQ" संबंधित उत्पाद हैं।

PSMN8R7-80PS,127

विवरण: MOSFET N-CH 80V TO220AB

निर्माता: Nexperia

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अग्रिम पंजीकरण

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