PMPB27EP,115

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMPB27EP,115
निर्माता / ब्रांड

Nexperia
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

PMPB27EP,115.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DFN2020MD-6
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

29 mOhm @ 6.1A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

6-UDFN Exposed Pad
दुसरे नाम

1727-1370-1
568-10819-1
568-10819-1-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1570pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

45nC @ 10V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

P-Channel 30V 6.1A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6.1A (Ta)

निम्नलिखित "PMPB27EP,115" संबंधित उत्पाद हैं।

PMPB30XPEX

विवरण: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220

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