PMPB29XNE,115

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMPB29XNE,115

निर्माता / ब्रांड

Nexperia

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

PMPB29XNE,115.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

900mV @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±12V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DFN2020MD-6

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

33 mOhm @ 5A, 4.5V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

6-UDFN Exposed Pad

दुसरे नाम

1727-1371-2
568-10820-2
568-10820-2-ND
934066868115
PMPB29XNE,115-ND

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

16 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1150pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

18.6nC @ 4.5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

1.8V, 4.5V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5A (Ta)