PMPB85ENEAX

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विशेष विवरण

भाग संख्या

PMPB85ENEAX

निर्माता / ब्रांड

Nexperia

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 60V 3A SOT1220

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

PMPB85ENEAX.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.7V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DFN2020MD-6

शृंखला

-

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

95 mOhm @ 3A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.6W (Ta), 15.6W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

6-UDFN Exposed Pad

दुसरे नाम

1727-8338-1

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

26 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

305pF @ 30V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9.2nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V

विस्तृत विवरण

N-Channel 60V 3A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3A (Ta)