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R6030422PSYA

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    R6030422PSYA
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    2.75V @ 800A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-205AB, DO-9
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    500ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -45°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis, Stud Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    50mA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    220A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
R6030635ESYA

R6030635ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6030822PSYA

R6030822PSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6024KNZC8

R6024KNZC8

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6030235ESYA

R6030235ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6030622PSYA

R6030622PSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024KNJTL

R6024KNJTL

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6030225HSYA

R6030225HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6024KNX

R6024KNX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6030435ESYA

R6030435ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6030625HSYA

R6030625HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6030ENX

R6030ENX

विवरण: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6025ANZC8

R6025ANZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
R6030222PSYA

R6030222PSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6025FNZC8

R6025FNZC8

विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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R6030835ESYA

R6030835ESYA

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
स्टॉक में
R6030425HSYA

R6030425HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
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R6030825HSYA

R6030825HSYA

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

निर्माता: Powerex, Inc.
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