NP80N06MLG-S18-AY

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NP80N06MLG-S18-AY
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NP80N06MLG-S18-AY.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220-3
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

8.6 mOhm @ 40A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta), 115W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
परिचालन तापमान

175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

6900pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

128nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V
विस्तृत विवरण

N-Channel 60V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-220-3
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

80A (Tc)

निम्नलिखित "NP80N06MLG-S18-AY" संबंधित उत्पाद हैं।

NP80N04PLG-E1B-AY

विवरण: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

निर्माता: Renesas Electronics America

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अग्रिम पंजीकरण

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