NP82N03PUG-E1-AY

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विशेष विवरण

भाग संख्या

NP82N03PUG-E1-AY
निर्माता / ब्रांड

Renesas Electronics Corporation
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

NP82N03PUG-E1-AY.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-263 (D²Pak)
शृंखला

-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

2.8 mOhm @ 41A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta), 143W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
परिचालन तापमान

175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

9080pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

160nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

82A (Tc)

निम्नलिखित "NP82N03PUG-E1-AY" संबंधित उत्पाद हैं।

NP83P04PDG-E1-AY

विवरण: MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

निर्माता: Renesas Electronics America

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