STB19NM65N

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STB19NM65N
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STB19NM65N.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±25V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK
शृंखला

MDmesh™ II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

270 mOhm @ 7.75A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

150W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

497-7001-2
परिचालन तापमान

150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1900pF @ 50V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

55nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

650V
विस्तृत विवरण

N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

15.5A (Tc)

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STB20150CTR

विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK

निर्माता: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

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