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2654151STB25N80K5 छविSTMicroelectronics

STB25N80K5

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STB25N80K5
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STB25N80K5.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    SuperMESH5™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    260 mOhm @ 19.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    250W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • दुसरे नाम
    497-13640-2
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    42 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1600pF @ 100V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    40nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    800V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 800V 19.5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    19.5A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STB24N60M2

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