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6269481STB25NF06AG छविSTMicroelectronics

STB25NF06AG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STB25NF06AG
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STB25NF06AG.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    -
  • वीजीएस (मैक्स)
    -
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    -
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    50W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • परिचालन तापमान
    -
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    38 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 19A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    19A (Tc)
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  • शिपिंग
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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विवरण: MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK

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STB23NM60N

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

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STB25NM60N-1

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निर्माता: STMicroelectronics
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STB26NM60N

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
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STB24N60M2

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

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STB25N80K5

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STB24N65M2

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STB25NM50N-1

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STB25NM60ND

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STB25NM60N

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