STB37N60DM2AG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STB37N60DM2AG

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 600V 28A

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STB37N60DM2AG.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±25V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D2PAK

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

110 mOhm @ 14A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

210W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

दुसरे नाम

497-16105-1

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

42 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2400pF @ 100V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

54nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

600V

विस्तृत विवरण

N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

28A (Tc)