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5921385STB3NK60ZT4 छविSTMicroelectronics

STB3NK60ZT4

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STB3NK60ZT4
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STB3NK60ZT4.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4.5V @ 50µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    SuperMESH™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    45W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    311pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    11.8nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    2.4A (Tc)
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STB40NF10T4

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STB41N40DM6AG

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STB35NF10T4

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विवरण: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
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STB40100CTR

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विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK

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STB37N60DM2AG

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STB36NM60N

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

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STB40NF20

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विवरण: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK

निर्माता: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
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STB38N65M5

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
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RFQ
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