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3330942STGB20NC60V छविSTMicroelectronics

STGB20NC60V

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STGB20NC60V
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 60A 200W D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STGB20NC60V.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.5V @ 15V, 20A
  • परीक्षण स्थिति
    390V, 20A, 3.3 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    31ns/100ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    220µJ (on), 330µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    PowerMESH™
  • पावर - मैक्स
    200W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • दुसरे नाम
    497-7008-2
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    38 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    100nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 60A 200W Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    100A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    60A
  • आधार भाग संख्या
    STG*20NC
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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निम्नलिखित "STGB20NC60V" संबंधित उत्पाद हैं।
STGB20NB32LZ

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STGB20V60DF

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STGB30H60DLLFBAG

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विवरण: IGBT

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STGB30M65DF2

STGB30M65DF2

विवरण: IGBT 650V 30A D2PAK

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STGB20H60DF

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विवरण: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

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STGB20NB41LZT4

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STGB20N45LZAG

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STGB30H60DF

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विवरण: IGBT 600V 60A 260W D2PAK

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STGB30H60DFB

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STGB25N40LZAG

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विवरण: POWER TRANSISTORS

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STGB30H65FB

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विवरण: IGBT

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STGB20M65DF2

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विवरण: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK

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STGB20NB37LZ

STGB20NB37LZ

विवरण: IGBT 425V 40A 200W D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
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STGB20V60F

STGB20V60F

विवरण: IGBT 600V 40A 167W D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
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