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5286290STGB3NB60KDT4 छविSTMicroelectronics

STGB3NB60KDT4

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STGB3NB60KDT4
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 10A 50W D2PAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STGB3NB60KDT4.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    2.8V @ 15V, 3A
  • परीक्षण स्थिति
    480V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    14ns/33ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    30µJ (on), 58µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D2PAK
  • शृंखला
    PowerMESH™
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    45ns
  • पावर - मैक्स
    50W
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    14nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 10A 50W Surface Mount D2PAK
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    24A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    10A
  • आधार भाग संख्या
    STG*3NB
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
शिपिंग
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STGB30V60F

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निर्माता: STMicroelectronics
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STGB6M65DF2

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विवरण: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

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STGB3HF60HD

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विवरण: IGBT 600V 7.5A D2PAK

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STGB35N35LZT4

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STGB30H65FB

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विवरण: IGBT

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विवरण: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

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STGB3NB60FDT4

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विवरण: IGBT 600V 6A 68W D2PAK

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विवरण: IGBT 1200V 14A 75W D2PAK

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विवरण: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

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STGB35N35LZ-1

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विवरण: IGBT 345V 40A 176W I2PAK

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STGB30M65DF2

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विवरण: IGBT 650V 30A D2PAK

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विवरण: IGBT 600V 15A 56W I2PAK

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STGB3NB60SDT4

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विवरण: IGBT 600V 6A 70W D2PAK

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विवरण: IGBT 600V 15A 56W D2PAK

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STGB30NC60WT4

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विवरण: IGBT 600V 60A 200W D2PAK

निर्माता: STMicroelectronics
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