STH270N4F3-6

कोट अनुरोध करें

कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक फ़ील्ड को पूरा करें। "RFQ सबमिट करें" हम आपको ईमेल द्वारा शीघ्र ही संपर्क करेंगे।या हमें ईमेल करें:info@ftcelectronics.com

जांच ऑनलाइन

विशेष विवरण

भाग संख्या

STH270N4F3-6
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STH270N4F3-6.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

H²PAK
शृंखला

STripFET™ III
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.7 mOhm @ 80A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

300W (Tc)
पैकेजिंग

Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
दुसरे नाम

497-11218-6
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7400pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

150nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

40V
विस्तृत विवरण

N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

180A (Tc)

निम्नलिखित "STH270N4F3-6" संबंधित उत्पाद हैं।

STH270N8F7-6

विवरण: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

निर्माता: STMicroelectronics

स्टॉक में

अब अपना समय बुक करें!

यह सब लेता है कि आपकी जगह आरक्षित करने और बूथ टिकट प्राप्त करने के लिए कुछ क्लिक हैं

अग्रिम पंजीकरण

STH270N4F3-6

कोट अनुरोध करें

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

भाषा चुनिए

वर्तमान भाषा