STL160N3LLH6

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STL160N3LLH6

निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics

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स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

STL160N3LLH6.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PowerFlat™ (5x6)

शृंखला

DeepGATE™, STripFET™ VI

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.3 mOhm @ 17.5A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

136W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

8-PowerVDFN

दुसरे नाम

497-11204-1

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

38 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

6375pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

61.5nC @ 4.5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 160A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

160A (Tc)