STS19N3LLH6

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STS19N3LLH6
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STS19N3LLH6.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO
शृंखला

DeepGATE™, STripFET™ VI
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.7W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
दुसरे नाम

497-12677-2
STS19N3LLH6-ND
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1690pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

17nC @ 15V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

19A (Tc)

निम्नलिखित "STS19N3LLH6" संबंधित उत्पाद हैं।

STS1DNF20

विवरण: MOSFET N-CH 8SOIC

निर्माता: STMicroelectronics

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