STTH1210G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

STTH1210G
निर्माता / ब्रांड

STMicroelectronics
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

STTH1210G.pdf
वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)

Standard
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

12A
वोल्टेज - टूटने

D2PAK
शृंखला

-
RoHS स्थिति

Tube
रिवर्स वसूली समय (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
प्रतिरोध @, तो एफ

-
ध्रुवीकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

90ns
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
उत्पादक हिस्सा करमार्क

STTH1210G
विस्तारित विवरण

Diode Standard 1000V (1kV) 12A Surface Mount D2PAK
डायोड विन्यास

10µA @ 1000V
विवरण

DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

2V @ 12A
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)

1000V (1kV)
समाई @ वीआर, एफ

175°C (Max)

निम्नलिखित "STTH1210G" संबंधित उत्पाद हैं।

STTH1210FP

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220FP

निर्माता: STMicroelectronics

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