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418560STTH1202DI छविSTMicroelectronics

STTH1202DI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    STTH1202DI
  • निर्माता / ब्रांड
    STMicroelectronics
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    STTH1202DI.pdf
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 12A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220AC ins
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    35ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-2 Insulated, TO-220AC
  • दुसरे नाम
    497-7578-5
    STTH1202DI-ND
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    175°C (Max)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    29 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 200V 12A Through Hole TO-220AC ins
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    12A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
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STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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STTH12012TV1

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विवरण: DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP

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STTH1202FP

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 12A TO220FP

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STTH12010TV1

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STTH1210DI

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STTH120R04TV2

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STTH1210D

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STTH1202D

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 12A TO220AC

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STTH1210FP

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