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GL480QE0000F

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GL480QE0000F
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वेवलेंथ
    950nm
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    1.2V
  • देखने का कोण
    26°
  • प्रकार
    Infrared (IR)
  • शृंखला
    -
  • उज्ज्वल तीव्रता (यानी) मिन @ हैं
    -
  • पैकेजिंग
    -
  • पैकेज / प्रकरण
    Radial
  • अभिविन्यास
    Side View
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 26° Radial
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    50mA
GL4800

GL4800

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL480

GL480

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41Y/1

GL41Y/1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
GL41THE3/96

GL41THE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL453E00000F

GL453E00000F

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL480E00000F

GL480E00000F

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
GL4910JE000F

GL4910JE000F

विवरण: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41THE3/97

GL41THE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL4800E0000F

GL4800E0000F

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41M/54

GL41M/54

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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