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6332525GL41Y/1 छविVishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GL41Y/1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    Standard
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1A
  • वोल्टेज - टूटने
    DO-213AB
  • शृंखला
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS स्थिति
    Tape & Reel (TR)
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • प्रतिरोध @, तो एफ
    8pF @ 4V, 1MHz
  • ध्रुवीकरण
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • दुसरे नाम
    GL41Y
    GL41Y-ND
    Q1022070
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    GL41Y/1
  • विस्तारित विवरण
    Diode Standard 1600V (1.6kV) 1A Surface Mount DO-213AB
  • डायोड विन्यास
    10µA @ 1600V
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1.2V @ 1A
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    1600V (1.6kV)
  • समाई @ वीआर, एफ
    -65°C ~ 175°C
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL4800E0000F

GL4800E0000F

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41THE3/96

GL41THE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL4910JE000F

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विवरण: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GL41THE3/97

GL41THE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41M/54

GL41M/54

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL480QE0000F

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विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41T-E3/96

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विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
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GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

विवरण: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GL480

GL480

विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GL4800

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विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GL453E00000F

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विवरण: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GL41MHE3/97

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विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL41MHE3/96

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विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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