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SIT8009BIE21-XXE

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SIT8009BIE21-XXE
  • निर्माता / ब्रांड
    SiTime
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SIT8009BIE21-XXE.pdf
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.25 V ~ 3.63 V
  • प्रकार
    XO (Standard)
  • फैलाओ स्पेक्ट्रम बैंडविड्थ
    -
  • आकार / आयाम
    0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
  • शृंखला
    SiT8009B
  • रेटिंग
    -
  • प्रोग्राम के प्रकार
    Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes)
  • पैकेज / प्रकरण
    4-SMD, No Lead
  • उत्पादन
    HCMOS, LVCMOS
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • ऊंचाई
    0.032" (0.80mm)
  • समारोह
    Enable/Disable
  • फ़्रीक्वेंसी स्थिरता (कुल)
    ±20ppm
  • आवृत्ति स्थिरता
    ±20ppm
  • विस्तृत विवरण
    XO (Standard) HCMOS, LVCMOS 115MHz ~ 137MHz Programmable Oscillator 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable 4-SMD, No Lead
  • वर्तमान - आपूर्ति (मैक्स)
    7.5mA
  • वर्तमान - आपूर्ति (निष्क्रिय) (मैक्स)
    4.2mA
  • बेस रेज़ोनेटर
    MEMS
  • उपलब्ध आवृत्ति रेंज
    115MHz ~ 137MHz
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  • शिपिंग
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SIT8009BIE31-33E

SIT8009BIE31-33E

विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS

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SIT8009BIE31-25E

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

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SIT8009BIE11-28E

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.52-3.08V EN/DS

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SIT8009BIE31-30E

SIT8009BIE31-30E

विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.7-3.3V EN/DS

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SIT8009BIE71-30E

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SIT8009BIE11-25E

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SIT8009BIE31-XXE

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS

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SIT8009BIE11-XXE

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V EN/DS

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SIT8009BIE11-33E

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.97-3.63V EN/DS

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SIT8009BIE21-30E

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विवरण: OSC PROG LVCMOS 2.25-2.75V EN/DS

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