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BZX55B6V2 A0G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BZX55B6V2 A0G
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    BZX55B6V2 A0G.pdf
  • वोल्टेज - जेनर (Nom) (VZ)
    6.2V
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1V @ 100mA
  • सहनशीलता
    ±2%
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-35
  • शृंखला
    -
  • पावर - मैक्स
    500mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Box (TB)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • दुसरे नाम
    BZX55B6V2 A0G-ND
    BZX55B6V2A0G
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    30 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • मुक़ाबला (मैक्स) (Zzt)
    10 Ohms
  • विस्तृत विवरण
    Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    100nA @ 2V
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BZX55B6V2-TR

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विवरण: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

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BZX55B75 A0G

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BZX55B6V2-TAP

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BZX55B5V6-TAP

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BZX55B5V1-TR

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विवरण: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BZX55B62-TR

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विवरण: DIODE ZENER 62V 500MW DO35

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BZX55B62 A0G

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BZX55B68 A0G

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विवरण: DIODE ZENER 68V 500MW DO35

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