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ES1BL RHG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    ES1BL RHG
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    ES1BL RHG.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    950mV @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    100V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Sub SMA
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    35ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-219AB
  • दुसरे नाम
    ES1BL RHG-ND
    ES1BLRHG
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    21 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 100V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    10pF @ 1V, 1MHz
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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1BL RQG

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES1BHE3/61T

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES1BLHRHG

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

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ES1BLHMHG

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ES1BL RTG

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

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ES1BL RFG

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

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ES1BL RVG

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ES1BL R3G

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ES1BL MHG

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ES1BL MQG

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ES1BL RUG

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ES1BHE3_A/H

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

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ES1BL MTG

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ES1BLHR3G

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