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2789561GBL08HD2G छविTSC (Taiwan Semiconductor)

GBL08HD2G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GBL08HD2G
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    GBL08HD2G.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    800V
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 4A
  • प्रौद्योगिकी
    Standard
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    GBL
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    4-SIP, GBL
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Single Phase
  • विस्तृत विवरण
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBL
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 800V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    4A
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "GBL08HD2G" संबंधित उत्पाद हैं।
GBL10-E3/45

GBL10-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL10-M3/45

GBL10-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL06HD2G

GBL06HD2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
GBL10

GBL10

विवरण: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL201 D2G

GBL201 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
GBL08-G

GBL08-G

विवरण: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

निर्माता: Comchip Technology
स्टॉक में
RFQ
GBL10-E3/51

GBL10-E3/51

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL08

GBL08

विवरण: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
GBL202 D2G

GBL202 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
GBL08 D2G

GBL08 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL10-M3/51

GBL10-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
GBL201HD2G

GBL201HD2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
GBL10 D2G

GBL10 D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
GBL10HD2G

GBL10HD2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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