RS1DLHRVG

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विशेष विवरण

भाग संख्या

RS1DLHRVG

निर्माता / ब्रांड

Taiwan Semiconductor

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स्टॉक में

विवरण

DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

RS1DLHRVG.pdf

वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.3V @ 800mA

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

200V

प्रदायक डिवाइस पैकेज

Sub SMA

गति

Fast Recovery = 200mA (Io)

शृंखला

Automotive, AEC-Q101

रिवर्स वसूली समय (trr)

150ns

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

DO-219AB

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

21 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

डायोड प्रकार

Standard

विस्तृत विवरण

Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA

वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

5µA @ 200V

वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

800mA

समाई @ वीआर, एफ

10pF @ 4V, 1MHz

निम्नलिखित "RS1DLHRVG" संबंधित उत्पाद हैं।

RS1E200BNTB

विवरण: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

निर्माता: LAPIS Semiconductor

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