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RS1DLHM2G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RS1DLHM2G
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RS1DLHM2G.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.3V @ 800mA
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Sub SMA
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    150ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-219AB
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    21 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    800mA
  • समाई @ वीआर, एफ
    10pF @ 4V, 1MHz
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RS1DLHRHG

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RS1DLHRFG

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RS1DLHRVG

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RS1DLHRUG

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RS1DLHMQG

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RS1DLHRQG

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RS1DL RVG

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RS1DL MTG

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RS1DL MHG

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RS1DL RUG

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RS1DL RTG

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RS1DL R3G

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