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191511RS1JFSHMXG छविTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JFSHMXG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RS1JFSHMXG
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE, FAST, 1A, 600V
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
    RS1JFSHMXG.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.3V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOD-128
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    250ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOD-128
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SOD-128
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    7pF @ 4V, 1MHz
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "RS1JFSHMXG" संबंधित उत्पाद हैं।
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1JB-13-F

RS1JB-13-F

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
RS1JFA

RS1JFA

विवरण: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1J/1

RS1J/1

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JDF-13

RS1JDF-13

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JFP

RS1JFP

विवरण: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JB-13

RS1JB-13

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

विवरण: DIODE

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JFS MXG

RS1JFS MXG

विवरण: DIODE, FAST, 1A, 600V

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

विवरण: DIODE

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
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