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RS1KHR3G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RS1KHR3G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.3V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    800V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-214AC (SMA)
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    500ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-214AC, SMA
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 800V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1KL RTG

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL MHG

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL RQG

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KFP

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विवरण: DIODE GP 800V 1.2A SOD123HE

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RS1KL RFG

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RS1KHM2G

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KHE3/5AT

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1KL R3G

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निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL RHG

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RS1KFSHMXG

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RS1KL M2G

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RS1KHE3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1KFS MXG

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विवरण: DIODE, FAST, 1A, 800V

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KFSHMWG

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RS1KL MQG

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RS1KHE3/61T

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

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RS1KL RUG

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

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RS1KFS MWG

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RS1KL MTG

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RS1KHE3_A/H

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