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S12MC M6G

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S12MC M6G
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 12A DO214AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 12A
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-214AB (SMC)
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-214AB, SMC
  • दुसरे नाम
    S12MC M6G-ND
    S12MCM6G
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 1000V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    12A
  • समाई @ वीआर, एफ
    78pF @ 4V, 1MHz
S12KCHM6G

S12KCHM6G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
S12KCHR7G

S12KCHR7G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
S12KC R7G

S12KC R7G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
S12M

S12M

विवरण: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12KC M6G

S12KC M6G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12QR

S12QR

विवरण: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12MR

S12MR

विवरण: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12KR

S12KR

विवरण: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12KC V6G

S12KC V6G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12Q

S12Q

विवरण: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12MC V6G

S12MC V6G

विवरण: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
S12MCHM6G

S12MCHM6G

विवरण: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12ME1FY

S12ME1FY

विवरण: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

निर्माता: Sharp Microelectronics
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S12MC V7G

S12MC V7G

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12JR

S12JR

विवरण: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12K

S12K

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
S12MCHR7G

S12MCHR7G

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
S12KC V7G

S12KC V7G

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12MD3

S12MD3

विवरण: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

निर्माता: Sharp Microelectronics
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S12MC R7G

S12MC R7G

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
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