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S1JLHMTG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S1JLHMTG
  • निर्माता / ब्रांड
    Taiwan Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    S1JLHMTG.pdf
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Sub SMA
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    1.8µs
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-219AB
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    21 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 600V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    9pF @ 4V, 1MHz
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S1JL RFG

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S1JLHRUG

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S1JLHMHG

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S1JL RVG

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S1JLHRHG

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S1JLHR3G

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S1JLHM2G

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S1JL RQG

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

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