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10A009

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    10A009
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    XFRMR LAMINATED THRU HOLE
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वजन
    -
  • वोल्टेज - माध्यमिक (पूर्ण लोड)
    10V
  • वोल्टेज - प्राथमिक
    230V
  • वोल्टेज - अलगाव
    4000Vrms
  • प्रकार
    Laminated Core
  • समापन शैली
    PC Pin
  • आकार / आयाम
    29.46mm L x 28.45mm W
  • शृंखला
    -
  • माध्यमिक घुमावदार (s)
    Single, Multiple Taps
  • प्राथमिक घुमावदार (s)
    Single
  • पावर - मैक्स
    -
  • दुसरे नाम
    PW28-10-230
    Q735719
    Q913481
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    26 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • ऊंचाई - बैठे (मैक्स)
    27.94mm
  • वर्तमान - आउटपुट (मैक्स)
    50mA
  • केंद्र नल
    Yes
10AMPS-CSTKIT

10AMPS-CSTKIT

विवरण: 10 AMPS CURRENT SENSE TRAN PBC

निर्माता: Pulse Electronics Corporation
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10AS016C3U19I2LG

10AS016C3U19I2LG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A04-T

10A04-T

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 10A R6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
10AS016C3U19E2LG

10AS016C3U19E2LG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A07-T

10A07-T

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 10A R6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
10A06-T

10A06-T

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 10A R6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
10AS016C4U19I3SG

10AS016C4U19I3SG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A030

10A030

विवरण: TRANS RF BIPO 13W 1.5A 55FT2

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
10AS016C3U19I2SG

10AS016C3U19I2SG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A05-T

10A05-T

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 10A R6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
10AS016E3F27E1HG

10AS016E3F27E1HG

विवरण: IC SOC FPGA 240 I/O 672FBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A01-T

10A01-T

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 10A R6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
10AS016C3U19E2SG

10AS016C3U19E2SG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A015

10A015

विवरण: TRANS RF BIPO 6W 750MA 55FT2

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
10AS016C4U19E3SG

10AS016C4U19E3SG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10A060

10A060

विवरण: TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
10A02-T

10A02-T

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 10A R6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
10A01-TP

10A01-TP

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 10A R-6

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
10AS016C4U19I3LG

10AS016C4U19I3LG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
स्टॉक में
10AS016C4U19E3LG

10AS016C4U19E3LG

विवरण: IC SOC FPGA 192 I/O 484UBGA

निर्माता: Intel® FPGAs
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