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6070422TC58BVG2S0HTAI0 छविToshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    TC58BVG2S0HTAI0
  • निर्माता / ब्रांड
    Kioxia America, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    TC58BVG2S0HTAI0.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND (SLC)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-TSOP I
  • शृंखला
    Benand™
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • दुसरे नाम
    TC58BVG2S0HTAI0B4H
    TC58BVG2S0HTAI0YCJ
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • अभिगम समय
    25ns
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  • शिपिंग
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TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

विवरण: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

विवरण: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

विवरण: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

विवरण: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

विवरण: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

विवरण: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
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TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

विवरण: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

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TC58BVG2S0HBAI4

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

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TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

विवरण: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

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