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1525337THGBMDG5D1LBAIT छविToshiba Memory America, Inc.

THGBMDG5D1LBAIT

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    THGBMDG5D1LBAIT
  • निर्माता / ब्रांड
    Kioxia America, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.THGBMDG5D1LBAIT.pdf
    2.THGBMDG5D1LBAIT.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    153-WFBGA (11x10)
  • शृंखला
    e•MMC™
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    153-WFBGA
  • दुसरे नाम
    THGBMDG5D1LBAITH2J
    THGBMDG5D1LBAITJ2J
    THGBMDG5D1LBAITYMJ
    THGBMDG5D1LBAITYNJ
    THGBMDG5D1LBAITYXJ
    THGBMNG5D1LBAIT
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    32Gb (4G x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    MMC
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 32Gb (4G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11x10)
  • घड़ी आवृत्ति
    52MHz

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निम्नलिखित "THGBMDG5D1LBAIT" संबंधित उत्पाद हैं।
THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

विवरण: IC FLASH 128G MMC 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
DSM2190F4V-15K6

DSM2190F4V-15K6

विवरण: IC FLASH 2M PARALLEL 52PLCC

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
RFQ
THGAF8G9T43BAIR

THGAF8G9T43BAIR

विवरण: IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL

विवरण: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG7C2LBAWR

THGBMHG7C2LBAWR

विवरण: IC FLASH 128G MMC 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG6C1LBAWL

THGBMHG6C1LBAWL

विवरण: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THG1111C-0005-TR

THG1111C-0005-TR

विवरण: LED GREEN 1608 SMD

निर्माता: Stanley Electric
स्टॉक में
RFQ
THGAF8G8T23BAIL

THGAF8G8T23BAIL

विवरण: IC FLASH 256G UFS 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG9C8LBAWG

THGBMHG9C8LBAWG

विवरण: IC FLASH 512G MMC 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG8C2LBAIL

विवरण: IC FLASH 256G MMC 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGAF8T1T83BAIR

THGAF8T1T83BAIR

विवरण: IC FLASH 2T UFS 153VFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG9C4LBAIR

THGBMHG9C4LBAIR

विवरण: IC FLASH 512G MMC 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
DS1345YL-100

DS1345YL-100

विवरण: IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM

निर्माता: Maxim Integrated
स्टॉक में
RFQ
MTFC2GMVEA-L1 WT

MTFC2GMVEA-L1 WT

विवरण: IC FLASH 16G MMC 153WFBGA

निर्माता: Micron Technology
स्टॉक में
RFQ
THG3809X

THG3809X

विवरण: LED GREEN CLEAR T/H

निर्माता: Stanley Electric
स्टॉक में
RFQ
THG3801C

THG3801C

विवरण: LED GREEN CLEAR T/H

निर्माता: Stanley Electric
स्टॉक में
RFQ
THGBMHG8C4LBAWR

THGBMHG8C4LBAWR

विवरण: IC FLASH 256G MMC 153WFBGA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
THGAF8T0T43BAIR

THGAF8T0T43BAIR

विवरण: 128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA

निर्माता: Toshiba Memory America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

विवरण: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

निर्माता: Micron Technology
स्टॉक में
RFQ
AT28BV64-25SI

AT28BV64-25SI

विवरण: IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC

निर्माता: Micrel / Microchip Technology
स्टॉक में
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