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RN1102MFV,L3F

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RN1102MFV,L3F
  • निर्माता / ब्रांड
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RN1102MFV,L3F.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 500µA, 5mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN - Pre-Biased
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    VESM
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    10 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    150mW
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-723
  • दुसरे नाम
    RN1102MFV(TL3T)CT
    RN1102MFV(TL3T)CT-ND
    RN1102MFVL3F(BCT
    RN1102MFVL3F(BCT-ND
    RN1102MFVL3FCT
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
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  • शिपिंग
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निम्नलिखित "RN1102MFV,L3F" संबंधित उत्पाद हैं।
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
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RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

विवरण: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

निर्माता: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
स्टॉक में
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
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RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

विवरण: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

निर्माता: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN1103CT(TPL3)

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1102T5LFT

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विवरण: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

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RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

विवरण: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

निर्माता: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

विवरण: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

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