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RN1906FE,LF(CT

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RN1906FE,LF(CT
  • निर्माता / ब्रांड
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    RN1906FE,LF(CT.pdf
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    ES6
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    47 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms
  • पावर - मैक्स
    100mW
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-563, SOT-666
  • दुसरे नाम
    RN1906FELF(CTCT
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    500nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
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  • शिपिंग
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RN1905,LF(CT

RN1905,LF(CT

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RN1909(T5L,F,T)

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RN1905,LF

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RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

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RN1907,LF(CT

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RN1906,LF(CT

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RN1905(T5L,F,T)

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RN1905FE,LF(CB

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RN1904,LF(CT

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RN1908FE(TE85L,F)

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RN1907,LF

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