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RN1962FE(TE85L,F)

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RN1962FE(TE85L,F)
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    ES6
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    10 kOhms
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    10 kOhms
  • पावर - मैक्स
    100mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-563, SOT-666
  • दुसरे नाम
    RN1962FE(TE85LF)TR
    RN1962FETE85LF
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    250MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
RN1910,LF(CT

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN1910FE(T5L,F,T)

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1964TE85LF

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विवरण: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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RN1968(TE85L,F)

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RN1908FE(TE85L,F)

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RN1911FETE85LF

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RN1910FE,LF(CT

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RN1962TE85LF

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