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RN2710JE(TE85L,F)

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    RN2710JE(TE85L,F)
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    50V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    ESV
  • शृंखला
    -
  • प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2)
    -
  • प्रतिरोधी - आधार (आर 1)
    4.7 kOhms
  • पावर - मैक्स
    100mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-553
  • दुसरे नाम
    RN2710JE(TE85LF)TR
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    200MHz
  • विस्तृत विवरण
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA (ICBO)
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    100mA
RN2709JE(TE85L,F)

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2705JE(TE85L,F)

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN2707JE(TE85L,F)

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN2902(T5L,F,T)

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2711(TE85L,F)

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

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RN2702TE85LF

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

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RN2902,LF(CT

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विवरण: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2902,LF

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RN262GT2R

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विवरण: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

निर्माता: LAPIS Semiconductor
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RN2712JE(TE85L,F)

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