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TK25A60X5,S5X

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    TK25A60X5,S5X
  • निर्माता / ब्रांड
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    TK25A60X5,S5X.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4.5V @ 1.2mA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220SIS
  • शृंखला
    DTMOSIV-H
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    140 mOhm @ 7.5A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    45W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • दुसरे नाम
    TK25A60X5,S5X(M
    TK25A60X5S5X
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2400pF @ 300V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    60nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    25A (Ta)
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TK2626

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निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
TK25A60X,S5X

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK2105800000G

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निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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विवरण: 500 TB WIR PRO 180D SOL

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विवरण: MOSFET N-CH 100V 52A TO-220

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निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK2405800000G

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विवरण: 500 TB WIR PRO 180D SOL

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TK25E60X5,S1X

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TK28N65W,S1F

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TK20V60W,LVQ

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विवरण: MOSFET N CH 600V 20A 5DFN

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