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TPC6009-H(TE85L,FM

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    TPC6009-H(TE85L,FM
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.3V @ 100µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    VS-6 (2.9x2.8)
  • शृंखला
    U-MOSVI-H
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    81 mOhm @ 2.7A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    700mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • दुसरे नाम
    TPC6009-H(TE85LFM
    TPC6009HTE85LFM
  • परिचालन तापमान
    150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    290pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    4.7nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    40V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 40V 5.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5.3A (Ta)
TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

विवरण: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6006-H(TE85L,F)

TPC6006-H(TE85L,F)

विवरण: MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6.8HM3/86A

TPC6.8HM3/86A

विवरण: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC SMPC

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
TPC6.8AHM3/87A

TPC6.8AHM3/87A

विवरण: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
TPC6010-H(TE85L,FM

TPC6010-H(TE85L,FM

विवरण: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC51AHM3_A/H

TPC51AHM3_A/H

विवरण: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
TPC6.8AHM3/86A

TPC6.8AHM3/86A

विवरण: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMPC

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
TPC6107(TE85L,F,M)

TPC6107(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6111(TE85L,F,M)

TPC6111(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6.8HM3/87A

TPC6.8HM3/87A

विवरण: TVS DIODE 5.5V 10.8V TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
TPC6.8AHM3_A/I

TPC6.8AHM3_A/I

विवरण: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
TPC6110(TE85L,F,M)

TPC6110(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6113(TE85L,F,M)

TPC6113(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET P-CH 20V 5A VS6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6011(TE85L,F,M)

TPC6011(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET N-CH 30V 6A VS6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6.8AHM3_A/H

TPC6.8AHM3_A/H

विवरण: TVS DIODE SMPC TO-277A

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
TPC6104(TE85L,F,M)

TPC6104(TE85L,F,M)

विवरण: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

विवरण: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM

विवरण: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
TPC51AHM3_A/I

TPC51AHM3_A/I

विवरण: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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