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3105571BYG10GHE3/TR3 छविVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3/TR3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BYG10GHE3/TR3
  • निर्माता / ब्रांड
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.BYG10GHE3/TR3.pdf
    2.BYG10GHE3/TR3.pdf
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    Avalanche
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.5A
  • वोल्टेज - टूटने
    DO-214AC (SMA)
  • शृंखला
    -
  • RoHS स्थिति
    Tape & Reel (TR)
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • प्रतिरोध @, तो एफ
    -
  • ध्रुवीकरण
    DO-214AC, SMA
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    4µs
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    14 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    BYG10GHE3/TR3
  • विस्तारित विवरण
    Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • डायोड विन्यास
    1µA @ 400V
  • विवरण
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1.15V @ 1.5A
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    400V
  • समाई @ वीआर, एफ
    -55°C ~ 150°C
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BYG10J-M3/TR3

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विवरण: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

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BYG10GHM3/TR

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विवरण: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10J-M3/TR

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निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10G-M3/TR3

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विवरण: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10GHM3/TR3

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विवरण: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG10GHM3_A/H

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विवरण: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

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BYG10DHM3_A/H

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BYG10G-E3/TR3

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BYG10DHM3/TR3

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BYG10G-M3/TR

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BYG10DHM3_A/I

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BYG10GHM3_A/I

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