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BZD27B8V2P-HE3-18

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BZD27B8V2P-HE3-18
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE ZENER 8.2V 0.8W DO-219AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - अलगाव
    2 Ohm
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101, BZD27B
  • पावर - मैक्स
    800mW
  • ध्रुवीकरण
    DO-219AB
  • परिचालन तापमान
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    BZD27B8V2P-HE3-18
  • मुक़ाबला (मैक्स) (Zzt)
    8.2V
  • विस्तारित विवरण
    Zener Diode 800mW Surface Mount
  • ईएसआर (बराबर श्रृंखला प्रतिरोध)
    -
  • डायोड विन्यास
    10µA @ 3V
  • विवरण
    DIODE ZENER 8.2V 0.8W DO-219AB
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1.2V @ 200mA
BZD27B7V5P-M3-18

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विवरण: DIODE ZENER 7.5V 0.8W DO-219AB

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BZD27B9V1P-E3-08

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विवरण: DIODE ZENER 9.1V 0.8W DO-219AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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विवरण: DIODE ZENER 8.2V 0.8W DO-219AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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विवरण: DIODE ZENER 82V 0.8W DO-219AB

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विवरण: DIODE ZENER 8.2V 0.8W DO-219AB

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निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
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