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BYR29X-800,127

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BYR29X-800,127
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.7V @ 8A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    800V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220FP
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    75ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • दुसरे नाम
    1740-1421
    568-8342-5
    568-8342-5-ND
    934063152127
    BYR29X-800,127-ND
    BYR29X800127
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    150°C (Max)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220FP
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 800V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    8A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
  • आधार भाग संख्या
    BYR29-800
1N4001GP-M3/54

1N4001GP-M3/54

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
123NQ080

123NQ080

विवरण: DIODE SCHOTTKY 80V 120A D-67

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
ZLLS2000TA

ZLLS2000TA

विवरण: DIODE SCHOTTKY 40V 2.2A SOT23-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
1N4002

1N4002

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

निर्माता: ON Semiconductor
स्टॉक में
S1FLJ-M-08

S1FLJ-M-08

विवरण: DIODE GP 600V 700MA DO219AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
FES8ATHE3/45

FES8ATHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
FS1M-TP

FS1M-TP

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
BYR29X-600,127

BYR29X-600,127

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

निर्माता: WeEn Semiconductors Co., Ltd
स्टॉक में
BYR5D-1200PJ

BYR5D-1200PJ

विवरण: BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M

निर्माता: WeEn Semiconductors Co., Ltd
स्टॉक में
1N3889R

1N3889R

विवरण: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
RSFMLHRUG

RSFMLHRUG

विवरण: DIODE GEN PURP 500MA SUB SMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
BYR29-600,127

BYR29-600,127

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

निर्माता: WeEn Semiconductors Co., Ltd
स्टॉक में
BAS21HMFHT116

BAS21HMFHT116

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3

निर्माता: LAPIS Semiconductor
स्टॉक में
S2G M4G

S2G M4G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
BYR29-800,127

BYR29-800,127

विवरण: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

निर्माता: WeEn Semiconductors Co., Ltd
स्टॉक में
VS-3EJH02HM3/6B

VS-3EJH02HM3/6B

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
VS-307U250

VS-307U250

विवरण: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SR515HB0G

SR515HB0G

विवरण: DIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201AD

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
CD214B-B350LF

CD214B-B350LF

विवरण: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA

निर्माता: Bourns, Inc.
स्टॉक में
US1JE-TP

US1JE-TP

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में

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