W29N02GVSIAF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

W29N02GVSIAF

निर्माता / ब्रांड

Winbond Electronics Corporation

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स्टॉक में

विवरण

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

25ns

वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V

प्रौद्योगिकी

FLASH - NAND (SLC)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

48-TSOP (18.4x12)

शृंखला

-

पैकेजिंग

Tray

पैकेज / प्रकरण

48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)

स्मृति के प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

2Gb (256M x 8)

मेमोरी इंटरफेस

Parallel

मेमोरी प्रारूप

FLASH

निर्माता मानक लीड टाइम

14 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

विस्तृत विवरण

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP (18.4x12)

अभिगम समय

25ns

निम्नलिखित "W29N02GVSIAF" संबंधित उत्पाद हैं।

W29N02GVBIAA

विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation

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