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W29N01HVBINF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    W29N01HVBINF
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND (SLC)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    63-VFBGA (9x11)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    63-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    14 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-VFBGA (9x11)
  • अभिगम समय
    25ns
W29N02GVBIAF

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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W29GL512SL9B TR

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विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W29N01HVDINF

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W29N01HVSINF

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