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3449917W947D6HBHX6E TR छविWinbond Electronics Corporation

W947D6HBHX6E TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    W947D6HBHX6E TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Winbond Electronics Corporation
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    W947D6HBHX6E TR.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-VFBGA (8x9)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    60-TFBGA
  • दुसरे नाम
    W947D6HBHX6E TR-ND
    W947D6HBHX6ETR
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Mb (8M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W947D6HBHX5I TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX5I

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W948D2FBJX6E

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W948D2FBJX5E TR

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W948D6DBHX6E

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विवरण: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W947D2HBJX6E TR

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W947D6HBHX5I

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

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W948D2FBJX5I TR

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W948D6FB2X5J

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विवरण: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

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W948D6FBHX5E

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W947D2HBJX6E

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