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W978H6KBQX2E

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    W978H6KBQX2E
  • निर्माता / ब्रांड
    Winbond Electronics Corporation
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    W978H6KBQX2E.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    168-WFBGA (12x12)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    168-WFBGA
  • परिचालन तापमान
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (16M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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RFQ
W979H6KBQX2E

W979H6KBQX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
स्टॉक में
RFQ
W979H2KBQX2I

W979H2KBQX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2E

W979H6KBVX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I TR

W9751G6KB25I TR

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBVX2E

W979H2KBVX2E

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB25I

W9751G8KB25I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB-25

W9751G8KB-25

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBQX2I

W979H6KBQX2I

विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

निर्माता: Winbond Electronics Corporation
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